В ДГТУ разрабатывают микросхемы для использования в условиях экстремально низких температур и повышенной радиации
В ДГТУ разрабатывают микросхемы для использования в условиях экстремально низких температур и повышенной радиации

И. о. декана факультета «Кораблестроение и морская техника» ДГТУ Илья Пахомов и коллектив Научно-исследовательской лаборатории проблем проектирования в экстремальной микроэлектронике ИППМ РАН работают над созданием микросхем нового поколения для эксплуатации в условиях экстремально низких температур и повышенной радиации.

 

 

Разрабатываемая учеными аналоговая микросхема радиационно-стойкого мультидифференциального операционного усилителя ИС-3, спроектированная на основе несимметричных дифференциальных каскадов, предназначена для работы с датчиковыми системами.


Микросхема ИС-3 реализована с использованием технологического процесса ОАО «ИНТЕГРАЛ» (г. Минск, Белоруссия). Базовый структурный кристалл MH2XA010, на базе которого сделана микросхема, представляет собой полупроводниковую пластину, обычно содержащую блоки памяти, интерфейс ввода-вывода, функциональные аналоговые блоки и матрицу несоединенных элементов. Микросхема может применяться в судах, эксплуатируемых в условиях Крайнего Севера и арктической зоны, а также в спутниках связи, для обработки сигналов различных датчиков физических величин.

–  При разработке микросхемы мы ставили перед собой задачу отказаться от применения p-n-p транзисторов ввиду сильного ухудшения их параметров при воздействии низких температур и радиации, что значительно усложнило схемотехнический синтез, – рассказал Илья Пахомов. – Необходимо было находить нестандартные решения при проектировании основных функциональных узлов микросхемы.

К особенностям данной микросхемы, по словам разработчиков, следует отнести более стабильную работу и улучшенные характеристики по сравнению с широко распространенными решениями.

 

Исследования проводятся под научным руководством д.т.н., профессора, заведующего кафедрой «Информационные системы и радиотехника» ИСОиП ДГТУ (филиала в г. Шахты), председателя секции вузовской науки и инноваций Совета ректоров вузов Ростовской области, советника при ректорате ДГТУ, заслуженного изобретателя РФ Николая Прокопенко.



Справка: Научно-исследовательская лаборатория экстремальной микроэлектроники занимается разработкой и оптимизацией аналоговой и аналого-цифровой электронной компонентной базы для задач космического приборостроения.

 




Город

В ДГТУ разрабатывают микросхемы для использования в условиях экстремально низких температур и повышенной радиации

13-04-2023 07:41

И. о. декана факультета «Кораблестроение и морская техника» ДГТУ Илья Пахомов и коллектив Научно-исследовательской лаборатории проблем проектирования в экстремальной микроэлектронике ИППМ РАН работают над созданием микросхем нового поколения для эксплуатации в условиях экстремально низких температур и повышенной радиации.

 

 

Разрабатываемая учеными аналоговая микросхема радиационно-стойкого мультидифференциального операционного усилителя ИС-3, спроектированная на основе несимметричных дифференциальных каскадов, предназначена для работы с датчиковыми системами.


Микросхема ИС-3 реализована с использованием технологического процесса ОАО «ИНТЕГРАЛ» (г. Минск, Белоруссия). Базовый структурный кристалл MH2XA010, на базе которого сделана микросхема, представляет собой полупроводниковую пластину, обычно содержащую блоки памяти, интерфейс ввода-вывода, функциональные аналоговые блоки и матрицу несоединенных элементов. Микросхема может применяться в судах, эксплуатируемых в условиях Крайнего Севера и арктической зоны, а также в спутниках связи, для обработки сигналов различных датчиков физических величин.

–  При разработке микросхемы мы ставили перед собой задачу отказаться от применения p-n-p транзисторов ввиду сильного ухудшения их параметров при воздействии низких температур и радиации, что значительно усложнило схемотехнический синтез, – рассказал Илья Пахомов. – Необходимо было находить нестандартные решения при проектировании основных функциональных узлов микросхемы.

К особенностям данной микросхемы, по словам разработчиков, следует отнести более стабильную работу и улучшенные характеристики по сравнению с широко распространенными решениями.

 

Исследования проводятся под научным руководством д.т.н., профессора, заведующего кафедрой «Информационные системы и радиотехника» ИСОиП ДГТУ (филиала в г. Шахты), председателя секции вузовской науки и инноваций Совета ректоров вузов Ростовской области, советника при ректорате ДГТУ, заслуженного изобретателя РФ Николая Прокопенко.



Справка: Научно-исследовательская лаборатория экстремальной микроэлектроники занимается разработкой и оптимизацией аналоговой и аналого-цифровой электронной компонентной базы для задач космического приборостроения.

 



Круглосуточный поток всего, что происходит на Дону в нашем телеграм канале


Оцените статью:
нравится0
не нравится0
00
Сообщить об ошибке!
Поделиться с друзьями:

Добавить «Privet-Rostov.ru» в список ваших источников:
У Вас есть интересная новость, фото или видео? Стали очевидцем происшествия? Звоните:
8 800 201 53 75 (Звонок по России бесплатный), Пишите: [email protected]
Новости партнеров
Последние новости
Privet-Rostov.ru » Город » В ДГТУ разрабатывают микросхемы для использования в условиях экстремально низких температур и повышенной радиации